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EM601-6 IC带状线TEM小室

EM601-6 IC带状线TEM小室

ESDEMC EM601-6是一款工作频段为DC-6GHz范围的带状线TEM小室,能够外接信号源产生电磁场,用于测试IC,无线通信模块等。外部信号通过EM601输入端口进行加载,在小室腔体内生产一个均匀、可控的电磁场,进行被测模块或IC的抗扰度测试。IC或其他模块安装在测试夹具上放入小室,其产生的辐射场特性也可以通过信号接收机连接EM601小室端口进行检测。

独特紧凑的设计针对超出标准TEM Cell频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM601-6的工作原理与TEM Cell相同。测试腔体内的E-H场与输入电压成比例,与小室的高度成反比。当辐射物嵌入小室内部时,辐射波经传输线引导,朝着小室的输入/输出端口移动,并通过诸如频谱分析仪的接收器在端口进行辐射信号接收。利用这种方法,可以定量测量来自辐射物的RFI。由于该设备工作频段宽,因此可应用在EMI,EMS,接收机灵敏度测试等很多领域。

特征:

  • 高达6 GHz带宽(超过普通TEM的 1 GHz带宽)

  • 可承受高达5 kV的高压脉冲注入,进行瞬态场测试

分类: 电磁兼容和射频测试方案
标签: EMC, ESD, 射频, 抗扰度, 辐射


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商品描述

ESDEMC EM601-6是一款工作频段为DC-6GHz范围的带状线TEM小室,能够外接信号源产生电磁场,用于测试IC,无线通信模块等。外部信号通过EM601输入端口进行加载,在小室腔体内生产一个均匀、可控的电磁场,进行被测模块或IC的抗扰度测试。IC或其他模块安装在测试夹具上放入小室,其产生的辐射场特性也可以通过信号接收机连接EM601小室端口进行检测。

独特紧凑的设计针对超出标准TEM Cell频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM601-6的工作原理与TEM Cell相同。测试腔体内的E-H场与输入电压成比例,与小室的高度成反比。当辐射物嵌入小室内部时,辐射波经传输线引导,朝着小室的输入/输出端口移动,并通过诸如频谱分析仪的接收器在端口进行辐射信号接收。利用这种方法,可以定量测量来自辐射物的RFI。由于该设备工作频段宽,因此可应用在EMI,EMS,接收机灵敏度测试等很多领域。

特征:

  • 高达6 GHz带宽(超过普通TEM的 1 GHz带宽)

  • 可承受高达5 kV的高压脉冲注入,进行瞬态场测试

分类: 电磁兼容和射频测试方案
标签: EMC, ESD, 射频, 抗扰度, 辐射



1.描述

ESDEMC EM601-6是一款工作频段为DC-6GHz范围的带状线TEM小室,能够外接信号源产生电磁场,用于测试IC,无线通信模块等。外部信号通过EM601输入端口进行加载,在小室腔体内生产一个均匀、可控的电磁场,进行被测模块或IC的抗扰度测试。IC或其他模块安装在测试夹具上放入小室,其产生的辐射场特性也可以通过信号接收机连接EM601小室端口进行检测。

独特紧凑的设计针对超出标准TEM Cell频率范围的中等精度测量进行了优化。 EM601-6的工作原理与TEM Cell相同。测试腔体内的E-H场与输入电压成比例,与小室的高度成反比。当辐射物嵌入小室内部时,辐射波经传输线引导,朝着小室的输入/输出端口移动,并通过诸如频谱分析仪的接收器在端口进行辐射信号接收。利用这种方法,可以定量测量来自辐射物的RFI。由于该设备工作频段宽,因此可应用在EMI,EMS,接收机灵敏度测试等很多领域。




2.特点

  • 高达6 GHz带宽(超过普通TEM的 1 GHz带宽)
  • 可承受高达5 kV的高压脉冲注入,进行瞬态场测试



3.应用

  • IC的电磁抗扰度测试
  • IC的电磁辐射测试
  • IC的ESD场敏感度测试
  • IEC 61967-2:2005集成电路 – 150 kHz至1 GHz的电磁辐射测量 – 第2部分:辐射发射的测量 – TEM单元和宽带TEM单元法
  • IEC 61967-8:2011集成电路 – 150 kHz至3 GHz的电磁辐射测量 – 第8部分:辐射发射的测量 – IC带状线方法
  • IEC 62132-8:2012集成电路 – 电磁抗扰度测量,150 kHz至3 GHz – 第8部分:辐射抗扰度测量 – IC带状线方法
  • SAE 1752-3集成电路辐射发射的测量 – TEM /宽带TEM(GTEM)单元法; TEM Cell(150 kHz至1 GHz),宽带TEM单元(150 kHz至8 GHz)



4.规格

频率范围 DC – 6 GHz (高次模的第一个峰值频率 > 6 GHz)
TEM Cell阻抗 50Ω ± 5%
VSWR DC- 3 GHz  <1.1
3 – 5.5 GHz <1.5
5.5 – 6 GHz <1.9
插入损耗(S21) DC- 3 GHz  <1 dB
3 – 6 GHz <1.5 dB
回损(S11&S22) DC- 3 GHz  >25 dB
3 – 5.5 GHz >14 dB
5.5 – 6 GHz >10 dB
有效的小室高度 12.5 mm
小室中心电场强度 80 V/m @ 1V (静态场最大 240 kv/m, 瞬态场最大400 kv/m)


10 V/m 电场的输入功率仅需 0.3125 mW, 1000 V/m电场的输入功率仅需3.125 W。  该值是基于隔板-小室壁的高度为12.5 mm的前提计算而得。

小室中心磁场强度 = 电场强度 /377 (A/m)
RF连接器 N型
最大输入功率 500瓦
最大输入电压 3 kV @DC,  5kV @Pulse
DUT端口尺寸 50 (W) x 50 (D) mm
推荐的最大DUT尺寸 30 (W) x 30(W) x 3(H) mm
TEM小室尺寸 170 (W) x 120 (D) x 70 (H) mm; 6.5 (W) x 4.5 (D) x 1 in.
重量 约 1 kg; 2 lbs.
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