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TLP测试与其他ESD测试方法的关联
来源: | 作者:prof566a1 | 发布时间: 2018-12-13 | 2958 次浏览 | 分享到:
TLP测试与其他ESD测试方法的关联

系统级、芯片级、模块级的ESD抗扰度通常由不同ESD测试装置来进行评估。
由瞬时高能量造成的故障可以通过上升沿时间和脉冲宽度受控的TLP脉冲或者RC
电路向被测系统放电得到。
TLP测试结果可与HBM, IEC61000-4-2，HMM的失效等级相关联。
ESD热失效相关*(注意)： TVS IEC 1 kV level = 2 A , 100 ns TLP pulse level
                                    IC HBM 1 kV level = 1.5 A, 100 ns TLP pulse level
注意：
1. 标准TLP不提供类似IEC61000-4-2标准脉冲的第一个峰，所以由IEC HMM测试第
一个峰引起的设备故障不能用TLP测试进行等效检测。超快TLP可以提供上升时间
短、脉宽窄的矩形脉冲，可用来进行此类等效测试。
2. 标准TLP是基于50欧姆阻抗的，而其他ESD模型基于不同的阻抗系统，所以设备
完全开启之前的电压可能会有很大不同，导致不同的失效类型。

请参考TLP测试用法的相关文献，不同设备的敏感性不同！
[1] Jon Barth, John Richner. Correlation between transmission-line-pulsing I-V curve and human-body-model.
[2] T. Smedes, J. van Zwol, G. de Raad, et al. ESD Relations between system level ESD and (vf-)TLP.
[3] YiqunCao, David Johnsson, Bastian Arndt, et al. A TLP-based Human Metal Model ESD-Generator for Device Qualification according to IEC 
61000-4-2
[4] Guido Notermans, Peter de Jong and Fred Kuper. Pitfalls when correlating TLP, HBM and MM testing. 
[5] YiqunCao , Ulrich Glaser , Stephan Freiand, et al.. A Failure Levels Study of Non-Snapback ESD Devices for Automotive Applications.
[6] Y. Xi, S. Malobabic, V. Vashchenko, et al. Correlation Between TLP, HMM, and System-Level ESD Pulses for Cu Metallization.
[7] Heinrich Wolf, Horst Gieser, KarlheinzBock, et al. Capacitive Coupled TLP (CC-TLP) and the Correlation with the CDM.
….. (please check for your device and applications)